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新加坡AMF推出PIC多层波导硅基氮化硅集成平台

发布时间:2019-12-31 17:00    点击次数:185次   

  摘要:新加坡先进微晶圆厂(Advanced Micro Foundry,AMF),一家从IME独立出来的新兴企业,专注于提供硅光子代工能力,宣布推出多层级硅基氮化硅(SiN-on-Si)的光子集成电路(PIC)平台。该平台实现了3D光子纳米结构的密集集成,该公司称其可实现小尺寸、低损耗、性能升级和制造公差。

  ICCSZ讯(编译:Aiur) 新加坡先进微晶圆厂(Advanced Micro Foundry,AMF),一家从IME独立出来的新兴企业,专注于提供硅光子代工能力,宣布推出多层级硅基氮化硅(SiN-on-Si)的光子集成电路(PIC)平台。该平台实现了3D光子纳米结构的密集集成,该公司称其可实现小尺寸、低损耗、性能升级和制造公差。

  AMF表示,SiN-on-Si方法改进了硅光子常用的绝缘体上硅(SOI)。 SOI方法在最顶层的硅层上制成光波导,并在顶部集成不同的功能(可能使用不同的材料)。SOI方法已经成功用于制作光收发器中的光学次模块、有源光缆、医学传感器、光学雷达和其他应用。

  不过,AMFCEO Dr. Tan Yong Tsong却表示:“在其他产品中,例如超大规模(VLS)的光子集成电路要求高密集集成的片上光学路由网络,其一个SOI平台会受到单一波导层的限制。而与之相反,为了应对不同且复杂的要求,具有更低光学损耗的多个波导层成为了客户需求。”

  AMF表示SiN-on-Si方法可以满足这些新兴需求,相比于标准硅,SiN波导提供更低光学损耗。其与包层氧化物的低折射率对比度也增加了制造公差,在阵列波导光栅(AWG)和其他架构下可以充分使用。同时,AMF还补充到,SiN-on-Si方法可将高速调制器、锗光电探测器和温度可调器件被多个SiN波导集成在双层SiN-Si或三层SiN-SiN-Si波导系统中。


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